标准简介
本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，GB 12560《半导体器件分立器件分规范》英文名称：Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
标准状态：作废
替代情况：作废;
中标分类：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L44场效应器件
ICS分类：电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1995-01-05
实施日期：1995-08-01
作废日期：2005-10-14
页数：平装16开， 页数：16， 字数：25千字
前言
其他半导体器件相关标准
