标准简介
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。英文名称：Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合
ICS分类：电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2012-05-11
实施日期：2012-12-01
出版日期：2012-12-01
页数：12页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本标准起草单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集团第四十九研究所、中机生产力促进中心。本标准主要起草人:夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟。
