标准简介
本标准规定了利用俄歇电子能谱（AES）和X射线光电子能谱（XPS）测定深度剖析离子溅射速率的方法，试样的离子溅射面积范围为0.4 mm?2～3.0 mm?2。本标准只适用于横向均匀的体相材料或单层材料，其离子溅射速率由溅射深度与溅射时间确定，溅射深度通过机械探针轮廓仪测得。?本标准提供了一种将深度剖析中的离子溅射时间转换为溅射深度的方法，并假设溅射速率恒定。本方法不是为扫描探针显微系统设计的，因此不能用扫描探针显微系统评价该方法。本方法不适用于溅射面积小于0.4 mm?2的情况，也不适用于溅射诱导的表面粗糙度与被测区域的溅射深度相比较明显的情况。?英文名称：Surface chemical analysis—Depth profiling—Measurement of sputtering rate:mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
标准状态：现行
中标分类：化工>>化工综合>>G04基础标准与通用方法
ICS分类：化工技术>>分析化学>>71.040.40化学分析
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2016-10-13
实施日期：2017-09-01
页数：24页
前言
基础标准与通用方法相关标准
