GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 现行

标准号：GB/T 14141-2009
中文标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文标准名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准状态：现行,发布于2009-10-30; 实施于2010-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：宁波立立电子股份有限公司;信息产业部专用材料质量监督检验中心;南京国盛电子有限公司
全部替代标准：GB/T 14141-1993
相近标准：20065624-T-469 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法; GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法; 20181809-T-469 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法; GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法; GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法; 20065629-T-469 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法; GB/T 15862-2012 离子注入机通用规范; 20065767-T-339 离子注入机通用规范