GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

标准号：GB/T 1553-2009
中文标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
英文标准名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1550-1997;GB/T 1551-2009;GB/T 14264-2009
适用范围：本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。本标准可测的*低寿命值为10μs，取决于光源的余辉。不适用于抛光片的验收测试。