GB/T 34900-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 现行

标准号：GB/T 34900-2017
中文标准名称：微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
英文标准名称：Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
标准状态：现行,发布于2017-11-01; 实施于2018-05-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2017-11-01
实施日期：2018-05-01
中国标准分类号：31.200
国际标准分类号：31.200
归口单位：全国微机电技术标准化技术委员会
执行单位：全国微机电技术标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：天津大学;国家仪器仪表元器件质量监督检验中心;中国电子科技集团公司第十三研究所;中机生产力促进中心;南京理工大学
相近标准：20120465-T-469 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法; GB/T 34894-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法; 20120467-T-469 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法; GB/T 34893-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法; 20120466-T-469 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法; GB/T 34899-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法; 20120468-T-469 微机电系统（MEMS）技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法; GB/T 26111-2010 微机电系统（MEMS）技术 术语; 20200872-T-469 微机电系统（MEMS）技术 术语; 微机电系统（MEMS）技术 术语