标准简介
在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。英文名称：Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料
ICS分类：29.040.30
发布部门：机械电子工业部
发布日期：1988-10-09
实施日期：1990-01-01
页数：3页
前言
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