电磁兼容性和无线电频谱事项(ERM)；超低功率有源医用膜植入物和附件的无线电设备，频率范围为30兆赫至37，5兆赫。第2部分：统一EN，涵盖R&TTE指令第3.2条的基本要求。
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本文件适用于指令90/385/EEC[I.4]中所述的超低功率有源医用膜植入物和膜植入外皮，涵盖在30兆赫至37，5兆赫的医用种植体通信系统中工作的所有有源医疗植入物。表1：在30 MHz至37兆赫至37兆赫的频段工作的超低功率有源医用膜植入物和外围设备-5兆赫超低功率有源医用膜植入物和外围设备-服务频带发射机-超低功率有源医用膜植入物和外围设备-30兆赫至37，5兆赫接收机-超低功率有源医用膜植入物和外围设备-30兆赫至37，5兆赫。
本文件载有与CE/ERC建议70-03附件12 Sub-带(D)相一致的ULP-AMI-M和ULP-M-P无线电设备特性的技术要求[I.6]。根据2013/752/EU[I.10]，30兆赫至37兆赫波段的频率使用条件与SRD类别“主动植入医疗设备”[I.10]的频率使用条件进行了广泛协调：“这套使用条件仅适用于指令90/385/EEC中关于主动植入式医疗设备的定义范围内用于血压测量的超低功率医用膜植入物。
”本文件要求证明用于医用膜植入通信系统的超低功率有源医用膜植入物和外围设备“…的构造应使其既有效地利用和支持有效利用无线电频谱，以避免有害干扰”(第2014/53/EU[一.1]号指令第3.2条)。它不一定包括用户可能需要的所有特性，也不一定代表可以实现的*佳性能。
文献历史
2017年1月9日
短程设备(SRD)；超低功率有源医用膜植入物(ULP-AMI-M)和在30 MHz至37，5 MHz频率范围内工作的外围设备(ULP-AMI-M-P)；统一标准，涵盖2014/53/EU号指令第3.2条的基本要求
本文件适用于指令90/385/EEC[I.4]中所述的超低功率有源医用膜植入物和膜植入外植体。
