标准简介
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。英文名称：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 17170-1997
中标分类：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-07-01
出版日期：2016-07-01
页数：8页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:———修改了标准名称;———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T17170—1997。
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