标准简介
本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 14847-2010代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1993-01-02
实施日期：1994-09-01
作废日期：2011-10-01
页数：平装16开， 页数：8， 字数：12千字
前言
金属物理性能试验方法相关标准
.png)
