标准简介
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10nm 的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。英文名称：Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-11-01
出版日期：2016-11-01
页数：16页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。本标准主要起草人:刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科。
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