标准简介
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω·cm。英文名称：Practice for shallow etch pit detection on silicon
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
出版日期：2011-10-01
页数：8页
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。本标准主要起草人:田素霞、张静雯、王文卫、周涛。
