标准简介
本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。英文名称：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 26068-2018代替
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
作废日期：2019-11-01
出版日期：2011-10-01
页数：28页
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司。本标准主要起草人:曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯。
