标准简介
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。英文名称：Polished monocrystalline silicon carbide wafers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
出版日期：2015-09-01
页数：16页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘春俊、刘振洲。
