标准简介
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>电子元件>>L17电感器、变压器
ICS分类：冶金>>金属材料试验>>77.040.01金属材料试验综合
发布部门：中关村天合宽禁带半导.
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
出版日期：2018-02-01
页数：16页【彩图】
前言
电感器、变压器相关标准
