标准简介
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。英文名称：Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：中关村天合宽禁带半导.
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
出版日期：2018-02-01
页数：12页【彩图】
前言
半金属与半导体材料综合相关标准
