标准简介
本标准规定了用Ｘ射线技术测量硅片参考面结晶学取向的方法。本标准适用于硅片参考面结晶学取向与参考面规定取向之间角度偏差的测量。硅片直径为50～125mm，参考面长度为10～50mm。本标准不适用于硅片规定取向在与参考面和硅片表面相垂直的平面内的投影与硅片表面法线之间夹角不小于3°的硅片的测量。英文名称：Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 13388-2009代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1992-02-19
实施日期：1992-10-01
作废日期：2010-06-01
页数：平装16开， 页数：6， 字数：7000
前言
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