标准简介
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。 本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3～1×1020cm-3，掺磷浓度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，掺砷浓度1019 cm-3～6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。 本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算，但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算，或任何其他载流子浓度的换算。英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 13389-1992
中标分类：>>>> >>>>80
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
出版日期：2015-09-01
页数：32页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替 GB/T13389—1992《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂 浓 度 换 算 规 程》,参 照 SEMIMF723-0307《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》对 GB/T13389—1992进行修订。本标准与 GB/T13389—1992相比,主要有以下变化:———增加了公式(5)、(6)、(7),即砷的掺杂剂浓度换算电阻率、掺硼硅单晶电阻率换算空穴浓度和掺磷硅单晶电阻率换算电子浓度的公式以及相应的适用范围;———由于所有公式都是经验公式或是试验结果,因此本标准中给出了公式的试验依据以便于使用者更好地了解和使用这些换算规程;———增加干扰因素(见第6章);———增加了附录和参考文献。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司。本标准主要起草人:孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T13389—1992。
