标准简介
本标准规定了用栅控和非栅控二*管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一*小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。英文名称：STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 14863-2013代替
中标分类：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二*管
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1993-01-02
实施日期：1994-10-01
作废日期：2014-08-15
页数：平装16开， 页数：12， 字数：19千字
前言
半导体二*管相关标准
