GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

标准简介

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
英文名称：Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 11072-1989
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
页数：12页

前言

本标准代替GB/T11072-1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。本标准与GB/T11072-1989相比,主要有如下变化:---将原标准中直径10mm~50mm 全部改为10mm~200mm;---在原标准的基础上增加了直径>50mm,厚度不小于1200μm,厚度偏差±40μm;---将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm~50mm 全部改为≥30mm~200mm;---在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200 mm 的切割片直径、参考面长度及其偏差;---将原标准中的附录A 去掉,增加引用标准GB/T11297;---增加了订货单(或合同)内容一章内容。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人:王炎、何兰英、张梅。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB/T11072-1989。