标准简介
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～8 103 ·cm，n型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～1.5 104 ·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1 10-3 ·cm～1 104 ·cm，样品长度与截面*大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 1551-2009
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2021-05-21
实施日期：2021-12-01
页数：28页
前言
金属物理性能试验方法相关标准
