标准简介
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。 本标准适用于硅锭和经过抛光处理的N型或P型硅片（当硅片厚度大于1mm时，通常称为硅块）载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05Ω·cm～10Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的*限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1.s，可测的*短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，*长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。英文名称：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 26068-2010
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2018-12-28
实施日期：2019-11-01
出版日期：2019-01-01
页数：32页【彩图】
前言
金属物理性能试验方法相关标准
