标准简介
本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、?X射?线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。英文名称：Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy,Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
标准状态：现行
中标分类：化工>>化工综合>>G04基础标准与通用方法
ICS分类：化工技术>>分析化学>>71.040.40化学分析
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2021-12-31
实施日期：2022-07-01
出版日期：2021-12-01
页数：20页【彩图】
前言
基础标准与通用方法相关标准
