标准简介
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3~102Ω·cm。英文名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
标准状态：作废
替代情况：替代GB 6617-1986;被GB/T 6617-2009代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1995-04-18
实施日期：1995-01-02
作废日期：2010-06-01
页数：平装16开， 页数：8， 字数：12千字
前言
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