标准简介
本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。英文名称：Silicon-based MEMS fabrication technology—Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合
ICS分类：电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2012-05-11
实施日期：2012-12-01
出版日期：2012-12-01
页数：24页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国电子科技集团第四十九研究所。本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、田雷。
