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检测周期
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样品及邮寄要求
价格
实验室遍布全国,就近分配
可加急,最快1.5个工作日(特殊样品除外)
CMA、CNAS、CAL
样品支持快递取送/上门采样,数量及规格等视检测项而定
电议(检测的标准和检测项目数量不同而价格不同)
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152-0173-3840
检测标准:半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
检测对象:PROM memory
检测项目:写数据参数
写数据 DL/T 698.42-2013 电能信息采集与管理系统 第4-2部分:通信协议-集中器下行通信
咨询报价
写时间 版本1.1.3 EPC global Class-1 Gen-2:标签性能参数及测试方法
全部参数* GB/T 34996-2017 800/900MHz射频识别读/写设备规范
写数据参数 GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
写数据功能检验 DL/T 645-2007 多功能电能表通信协议
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