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检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:场效应管
检测项目:栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GS(TO)</Sub>
栅-源阈值电压 V<SUB>GS(TO)</SUB> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
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栅-源阈值电压V<Sub>GS(TO)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
栅-源阈值电压V<Sub>GS</Sub><Sub>(</Sub><Sub>th</Sub><Sub>)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
栅-源截止电压 <I>V</I><Sub>GS(OFF</Sub><Sub>)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GS(th)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
源栅阈值电压<I>V</I><Sub>GS(TO)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
栅-源阈值电压(C型)(<I>V</I><Sub>GS</Sub><Sub>(</Sub><Sub>TO</Sub><Sub>)</Sub>) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
栅极-发射极阈值电压 <I>V</I><Sub>GE(th)</Sub> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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