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检测标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1042
检测对象:电子及电气元件
检测项目:老炼和寿命试验(功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管)
1042老炼和寿命试验(功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 1042
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场效应晶体管老炼试验 GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 方法1042 试验条件B
漏--源短路时,(结型场效应晶体管的)栅极截止电流 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
漏极开路时,(结型场效应晶体管的)栅极截止电流 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
老炼和寿命试验(功率场效应晶体管) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法1042
老炼和寿命试验(功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1042
老炼和寿命试验(功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管(IGBT)) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 1042
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