D-SIMS分析如何做?动态二次离子质谱技术(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术，根据二次离子的质量来测定元素种类，具有*高分辨率和检出限的表面分析技术。
检测范围
1，鉴别在金属、 玻璃、陶瓷、薄膜或粉末表面上的无机物层或有机物层。
2，氧化物表层、腐蚀膜、沥滤层和扩散层沿深度的浓度分布。
3，经扩散或离子注入到半导体材料中的微量掺杂剂(≤1000ppm)沿深度的浓度分布。
4，在脆化金属合金、气相沉积薄膜、水合玻璃和矿物质中的氢浓度和氢沿深度的分布。
5，定量分析固体中的痕量元素。
6，分析地质样品和含银样品中的同位素丰度。
7，用同位素富集材料进行示踪研究(如研究扩散和氧化)。
8，矿物质、多相陶瓷和金属中的相分布。
9，由晶界偏析、内氧化或沉淀引起的第二相分布。
检测标准
3ASTM E156 0190 2607-2011次级离子质谱法(SIMS)中质谱数据报告的标准实施规程
4ASTM E1880-2006用次级离子质谱法(SIMS)对组织低温部分分析规程
**STM E1881-2006用次级离子质谱法(SIMS)对细胞培养分析指南
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