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CMA、CNAS、CAL
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检测标准:半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 6.3.20
检测对象:场效应晶体管
检测项目:结-壳瞬态热阻抗和热阻
检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
K系数 JESD 51-14 :2010 具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法
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结温 JESD 51-14 :2010 具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法
结至环境的热阻/结至壳的热阻 JESD 51-14:2010 具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法
结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗 GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
结壳热阻 JB/T 7826.2-1996 MTQ(MFQ)系列晶闸管单相桥模块
结-壳瞬态热阻抗和热阻 IEC 60747-8 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 Ed. 3.0 :2010 6.3.20
结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗 GBT GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.13
热性能检测 JESD51-14 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
结壳热阻 JB/T 7826.1-1995 MT、MF系列臂对晶闸管模块
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