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检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测对象:半导体IGBT电路
检测项目:集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CES</Sub>
集电极-发射极击穿电压(V(BR)<sub>CEO</sub>) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3011
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集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CES</Sub> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
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集电极-发射极击穿电压BVceo
集电极-发射极击穿电压V检测
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