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检测标准:半导体光电耦合器测试方法
检测对象:半导体光电耦合器
检测项目:集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极型晶体管
检测标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
集电极—发射极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
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集电极-发射极击穿电压(V(BR)<sub>CEO</sub>) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
集电极-发射极击穿 电压V(BR)CEO GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
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集电极-发射极击穿电压V检测
集电极-发射极击穿电压V(<Su
集电极-发射极击穿电压V(BR)
集电极-发射极击穿电压V<Sub
集电极-发射极击穿电压V<sub
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