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检测标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测对象:三极管
检测项目:集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR) CEO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:晶体管
集电极—发射极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
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集电极-发射极击穿电压(V(BR)<sub>CEO</sub>) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(</Sub><Sub>BR)CEO</Sub> GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性
I<Sub>B</Sub>=0时的集电极发射极击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
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集电极-发射极击穿电压(基极开路
集电极-发射极击穿电压<I>V<
集电极-发射极击穿电压BVceo
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集电极-发射极击穿电压V(BR)
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