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152-0173-3840
检测标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011
检测对象:光电耦合器
检测项目:集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub>
集电极-发射极击穿电压(V(BR)<sub>CEO</sub>) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3011
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集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
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集电极-发射极击穿电压V(<Su
集电极-发射极击穿电压V(BR)
集电极-发射极击穿电压V<Sub
集电极-发射极击穿电压V<sub
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