探照灯灯具热特性测试的原理与方法
近年来，强光探照灯照明技术快速发展，在强光探照灯的光效、色温、显色性等光色指标备受关注的同时，强光探照灯的热学特性和寿命也越来越受到人们的重视，特别是热学特性，对强光探照灯光、色、电等参数的性能和寿命有着显著的影响。
强光探照灯热性能的测试**要测试强光探照灯的结温，即工作状态下强光探照灯芯片的温度。关于强光探照灯芯片温度的测试，理论上有多种方法，如红外光谱法、波长
电压法测量强光探照灯结温的主要思想是：特定电流下强光探照灯的正向压降Vf与强光探照灯芯片的温度成线性关系，所以只要测试到两个以上温度点的Vf值，就可以确定该强光探照灯电压与温度的关系斜率，即电压温度系数K值，单位是mV/℃。K值可由公式K=△Vf/△Tj求得。K值有了，就可以通过测量实时的Vf值，计算出芯片的温度（结温）Tj。为了减小电压测量带来的误差，>标准规定测量系数K时，两个温度点温差应该大于等于50度。对于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求：
(1)电压法测量结温的基础是特定的测试电流下的Vf测量，而强光探照灯芯片由于温度变化带来的电压变化是毫伏级的，所以要求测试仪器对电压测量的稳定度必须足够高，连续测量的波动幅度应小于1mV。
(2)这个测试电流必须足够小，以免在测试过程中引起芯片温度变化；但是太小时会引起电压测量不稳定，有些强光探照灯存在匝流体效应会影响Vf测试的稳定性，所以要求测试电流不小于IV曲线的拐点位置的电流值。
(3)由于测试强光探照灯结温是在工作条件下进行的，从工作电流（或加热电流）降到测试电流的过程必须足够快和稳定，Vf测试的时间也必须足够短，才能保证测试过程不会引起结温下降。
在测量瞬态和稳态条件的结温的基础上，可以根据下式算出强光探照灯相应的热阻值：
Rja=△T/P=(Ta-Tj)/P
式中，Ta是系统内参考点的温度（如基板温度）,Tj是结温，P是使芯片发热的功率，对于强光探照灯可以认为就是强光探照灯电功率减去发光功率。由于强光探照灯的封装方式不同，安装使用情况不同，对热阻的定义有差别，测试时需要相应的支架和夹具配套。SEMI的标准中定义了两种热阻值，Rja和Rjb,其中：Rja是测量在自然对流或强制对流条件下从芯片接面到大气中的热导。
Rja在标准规范的条件下测量，可用于比较不同封装散热的情况。
Rjb是指在自然对流以及风洞
大功率强光探照灯封装都带基板，绝大部分热从基板通过散热板散发，测量强光探照灯热阻主要是指强光探照灯芯片到基板的热阻。