标准简介
本标准描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中III、V族杂质含量的方法。 本标准适用于硅单晶中的III、V族杂质铝（Al）、锑（Sb）、砷（As）、硼（B）、镓（Ga)、铟（In）和 磷（P）含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计）为1.0×1010 cm-3～4.1×1014 cm-3。英文名称：Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 24581-2009
中标分类：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2022-03-09
实施日期：2022-10-01
页数：12页
前言
半金属及半导体材料分析方法相关标准
