标准简介
本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序,并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量;也可用于其他类型的平坦晶片材料,但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。本标准不适用于带宽空间波长≤10nm 的测量仪器。英文名称：Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2013-05-09
实施日期：2014-02-01
出版日期：2014-02-01
页数：32页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准主要起草人:孙燕、李莉、卢立延、翟富义、向磊。
