标准简介
本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300mm 直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90nm 技术需求的衬底片。英文名称：300 mm polished monocrystalline silicon wafers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2013-05-09
实施日期：2014-02-01
出版日期：2014-02-01
页数：12页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。
