标准简介
本标准规定了用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。 本标准适用于外延层厚度不小于某一*小厚度值相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。英文名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 14863-1993;废止公告：国家标准公告2017年第31号
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
出版日期：2014-08-15
页数：16页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替GB/T14863—1993《用栅控和非栅控二*管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》。本标准与GB/T14863—1993相比,主要有下列变化:———增加了标准的“前言”;———调整并增加了引用标准;———对试验条件、试验方法进行了简化和调整;———对附录进行了调整。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由中国电子技术标准化研究院归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人:何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T14863—1993。
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