标准简介
本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。 本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。英文名称：Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 24578-2015代替
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
作废日期：2017-01-01
出版日期：2010-06-01
页数：16页
前言
本标准的附录A 为规范性附录,附录B为资料性附录。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司。本标准主要起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义。
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