标准简介
本标准规定了用阴*荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。 本标准适用于位错密度在1×103 个/cm2~5×108 个/cm2 之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。英文名称：Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-11-01
出版日期：2016-11-01
页数：12页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。本标准主要起草人:曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科。
