标准简介
GB/T5594的本部分规定了氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定方法。 本部分适用于氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定。 本部分只涉及光学显微镜的测定内容和测定方法。英文名称：Test methods for properties of structure ceramic used in electronic components and device—Part 8:Test method for microstructure
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 5594.8-1985
中标分类：电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料
ICS分类：31-030
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-05-15
实施日期：2016-01-01
出版日期：2016-01-01
页数：8页
前言
GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分:———气密性测试方法(GB/T5594.1);———杨氏弹性模量 泊松比测试方法(GB/T5594.2);———第3部分:平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3);———第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法(GB/T5594.4);———体积电阻率测试方法(GB/T5594.5);———第6部分:化学稳定性测试方法(GB/T5594.6);———第7部分:透液性测定方法(GB/T5594.7);———第8部分:显微结构测定方法(GB/T5594.8);———电击穿强度测试方法(GB/T5594.9)。本部分为 GB/T5594的第8部分。本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本部分代替 GB/T5594.8—1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 显微结构的测定》。本部分与 GB/T5594.8—1985相比,主要有下列变化:———标准名称改为:“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第8部分:显微结构测定方法;———“3.1 显微结构”定义中,增加了晶界、相间物质、空间上的相互排列和组合关系等;———“4 样品的制备”中,增加了“小尺寸样品,可以直接采用单面磨制”;———“7 测试结果的综合表示”中,增加了部分显微结构照片,将晶粒大小放在前面。显微缺陷、气孔数量、玻璃相等部分放在后面;———删除了气孔、玻璃相含量等级表示方法(见 GB/T5594.8—1985中4.2.2、4.3)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国信息工业和信息化部提出。本部分由中国电子技术标准化研究院归口。本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏常熟银洋陶瓷器件有限公司。本部分主要起草人:江树儒、曹易、高永泉、翟文斌。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T5594.8—1985。
