半导体IGBT电路检测

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半导体IGBT电路检测

1范围

本标准给出了绝缘栅双*晶体管(IGBT)的术语,文字符号,基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

IEC 60747-1;2006半导体器件﹑第1部分:总则(Semiconductor devices--Part 1:General)

IEC 60747-2半导体器件﹑分立器件和集成电路第⒉部分:整流二*管(Semiconductordevices--Discrete devices and integrated circuits--Part 2:Rectifier diodes)

IEC 60747-6半导体器件﹑第6部分:晶闸管(Semiconductor devices—-Part 6;Thyristors)IEC 61340(所有部分)静电(Electrostatics)

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检测项目:低温测试

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检测项目:反向恢复时间t<Sub>rr</Sub>

检测标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472

检测对象:半导体IGBT电路

检测项目:开关时间(t<Sub>d(on)</Sub>,t<Sub>r</Sub>,t<Sub>f</Sub>,t<Sub>d(off)</Sub>)

检测标准:半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F 3472.2

检测对象:半导体IGBT电路

检测项目:开关时间(t<Sub>d(on)</Sub>,t<Sub>r</Sub>,t<Sub>f</Sub>,t<Sub>d(off)</Sub>)

检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

检测对象:半导体IGBT电路

检测项目:最大集电极电流I<Sub>C</Sub>

检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

检测对象:半导体IGBT电路

检测项目:栅极-发射极阈值电压V<Sub>GE(ON)</Sub>

检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

检测对象:半导体IGBT电路

检测项目:栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>

检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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检测项目:栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)

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