1范围
本标准规定了半导体集成电路封装引线间电容和引线负载电容的测试方法。本标准适用于半导体集成电路陶瓷.金属、塑料封装引线间电容和引线负载电容测量。
2设备和器材
2.1 电容仪
采用加屏蔽的两探针法﹐并配有两根同轴电缆的电容仪﹐也可采用加屏蔽的四探针法的电容仪,但必须将四根探针在电缆端处改接成两探针。两种方法均要求用于屏蔽连接的绝缘线的线径大于等于1.0 mm。除非具体设备另有规定,应保持同轴电缆于*小长度(1 m)。电容仪的准确度为±2%‰,址程范围为0~100 pF。探针屏蔽必须连接在一起,连线长度应尽量短,大约为2.5 cm~5 cm。
2.2探针台
配有两根同轴探针和一根普通探针的微动探针台(推荐使用同轴探针的型号为44-FPC-6000,普通探针型号为OON-FPC-6000)。
3测试程序
3.1测引线间电容
3.1.1置电容仪测试频率选择开关于1 MHz,如果电容仪具有电缆长度选择开关,则调节开关选择适当的同轴电缆长度。
3.1.2︰将封装上所有*接近待测引线的引线连接在一起。例如对于68线陶瓷针棚阵列封装待测引线周围的8根引线要连接在一起,对于124线陶瓷针栅阵列封装,待测引线周围的12根引线要连接在一起;对所有的片式封装,待测引线周围的8根引线要连接在一起(见图1)。如果封装中有接电源的平面和(或)大功率电源母线,则它们的引线应和上述的8根或12根引线连接在一起。
3.1.3把屏蔽探针放在3.1.2所提到的8根或12根引线中任--引线的内引出端,以保证这些引线不影响测量。
3.1.4将两根同轴探针分别置于2个被测引线的内引出端上方约3 mm处。
3.1.5调零程序;如果使用的仪器是自动调零的,则根据仪器说明书测量电容,如果使用的不是这类仪器,则必须在仪器调零后取读数。
