1范围
1.1主题内容
本标准规定了在实验室对半导体分立器件开展失效分析的方法和一般程序。1.2适用范围
本标准适用于半导体分立器件(以下简称器件)的失效分析。1.3 应用指南
开展失效分析时,应根据失效器件的种类、结构、失效模式和失效机理等因素来决定所要采用的失效分析方法和程序。本标准给出的失效分析程序,分析人员可据此开展失效分析工作,也可依实际工作情况适当变更分析程序,以达到分析目的。
2引用文件
GJB 128A-97
半导体分立器件试验方法
GJB 360A-96
电子及电气元件试验方法
GJB548A- 96
微电子器件试验方法和程序
定义
3.1缺陷defect
在外形、装配、功能或工艺质量等方面与详细规范规定的任何不一致现象。3.2可筛选缺陷screenable defect
利用筛选方法和检验方法可剔除的缺陷。3.3 批次性缺陷lot related defect
由设计、制造过程中造成的并在同批次器件中重复出现的缺陷。3.4 潜在缺陷latent defect
在某种应力作用下使器件内部造成了轻微损伤,器件的电参数虽仍然合格,但可能造成器件的某些能力降低或使用寿命缩短。
