总则
除IEC 60269-1:2006规定外,补充下列要求。半导体设备保护用熔断体应符合IEC 60269-1:2006所有要求,并且还应符合本部分规定的补充要求。
范围和目的
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
注1:此类熔断体通君称为“半导体熔断体”。
注2r在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性,难以作出一般的规定﹔组合设备
是否适合作熔断器底座,宜由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,他们应符合IEC 60269-1:2006的相关要求。
注3:IEC60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。
本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:
a)熔断体的下列特性:
1)额定值;
2)正常工作时的温升;3)耗散功率﹔
4)时间-电流特性;5)分断能力;
6)截断电流特性和It 特性;7)电弧电压特性。
b)验证熔断体特性的型式试验;)熔断体标志﹔
d应提供的技术数据(见附录BB)。
