1引言
通常,本标准与IEC 747-1—1983《半导体分立器件和集成电路总则第1部分总则》一起使用。在IEC 747-1中可找到下列全部基础资料:
一—术语;
一—文字符号;
一—基本额定值和特性;一—测试方法;
——接收和可靠性。
本标准各章的编排顺序符合IEC 747-1第■章第2.1条的规定。
2范围
本标准给出了下列几种类型双*型晶体管的标准:——小功率信号晶体管(不包括开关用的);
——功率晶体管(不包括开关和高频用的);——放大和振荡用高频功率晶体管;
——开关用晶体管。
检测地点
检测周期
报告资质
样品及邮寄要求
价格
实验室遍布全国,就近分配
可加急,最快1.5个工作日(特殊样品除外)
CMA、CNAS、CAL
样品支持快递取送/上门采样,数量及规格等视检测项而定
电议(检测的标准和检测项目数量不同而价格不同)
1引言
通常,本标准与IEC 747-1—1983《半导体分立器件和集成电路总则第1部分总则》一起使用。在IEC 747-1中可找到下列全部基础资料:
一—术语;
一—文字符号;
一—基本额定值和特性;一—测试方法;
——接收和可靠性。
本标准各章的编排顺序符合IEC 747-1第■章第2.1条的规定。
2范围
本标准给出了下列几种类型双*型晶体管的标准:——小功率信号晶体管(不包括开关用的);
——功率晶体管(不包括开关和高频用的);——放大和振荡用高频功率晶体管;
——开关用晶体管。
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:<I>f</I><Sub>T</Sub>特征频率
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:I<Sub>B</Sub>=0时的集电极发射极击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:I<Sub>B</Sub>=0时的集电极发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:I<Sub>C</Sub>=0时的发射极基极击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)EBO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:I<Sub>C</Sub>=0时的发射极基极截止电流<I>I</I><Sub>EBO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:I<Sub>E</Sub>=0时的集电极基极击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CBO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:I<Sub>E</Sub>=0时的集电极基极截止电流<I>I</I><Sub>CBO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:S-参数
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:上升时间<I>t</I><Sub>r</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:双极晶体管
检测项目:下降时间<I>t</I><Sub>f</Sub>
上一篇《双极性晶体管检测》