关断电压V<Sub>FF</Sub>检测

I<SUB>DSX</SUB>:漏极关断电流/I<SUB>DS*</SUB>:漏极漏电流 IEC 60747-8-2010 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

漏源击穿电压V<Sub>（</Sub><Sub>BR</Sub><Sub>）</Sub><Sub>DSS</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3047

关断延迟时间t_d(_off) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

关断电压V<Sub>foff GJB 1515B-2017 固体继电器总规范 GJB1515B-2017 3.12.16

(结栅型, 绝缘栅耗尽型):G-S关断电压V_GS(off)； (绝缘栅增强型):G-S阈值电压V_GS(th) IEC 60747-8 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管 (Edition 3.0 2010-12) 6.3.2

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输出电压（V<SUB>O</SUB>）和输出电压偏差（△V<SUB>O</SUB>） GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法