最大集电极电流I<Sub>C</Sub>检测

集电极截止电流 I<SUB>CES</SUB> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CE（sat）</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

I<Sub>B</Sub>=0时的集电极发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

集电极-发射极截止电流 <I>I</I><Sub>CEO</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

集电极截止电流(I_CES) GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

I<Sub>E</Sub>=0时的集电极基极截止电流<I>I</I><Sub>CBO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

最大集电极电流I<Sub>C</Sub> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>（BR）CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011

发射极-集电极击穿电压 <I>V</I><Sub>ECO</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法