标准简介
本标准规定了微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定方法。 本标准适用于微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性试 验》。 本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８相比，主要有如下变动： ———范围去除“非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用”内容； ———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定； ———将原标准厚膜隧道烧结炉，温度范围为室温～１０００℃。改为：厚膜隧道烧结炉，*高使用温度为１０００℃，控制精度在±５℃； ———将原标准控制焊料熔融温度为２３５℃±５℃改为：根据不同的焊料确定温度； ———将原标准“浸入和取出速度为（２５±５）ｍｍ／ｓ”删除； ———将原标准“导体浸入焊料界面深度为２ｍｍ”改为“导体浸入焊料界面深度为２ｍｍ 以下”； ———将原标准“浸入时间为５ｓ±１ｓ。浸入时间为１０ｓ±１ｓ”改为“浸入时间根据不同浆料”确定； ———将原标准８．１．１中“在放大镜下观察，若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于９５％，则为可焊性好，小于９５％为可焊性差”修改为“在放大镜下观察，若基片印刷图案导电膜接受焊 锡的面积不小于图案面积的９／１０，则为可焊性好，小于９／１０为可焊性差”； ———将原标准８．１．２中“基片印刷图案若有５％未焊的面积集中在某一角，则可焊性差”修改为“基片印刷图案若有１／５未焊面积，则可焊性差”。英文名称：Test methods of precious metals pastes used for microelectronics - Determination of solderability and solderelaching resistance
标准状态：现行
替代情况：被GB/T 17473.7-2022代替;替代GB/T 17473.7-1998
中标分类：冶金>>有色金属及其合金产品>>H68贵金属及其合金
ICS分类：冶金>>有色金属>>77.120.99其他有色金属及其合金
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2008-03-31
实施日期：2008-09-01
作废日期：2022-10-01 即将作废 距离作废日期还有16天
出版日期：2008-06-01
页数：4页
前言
本标准是对gb/t17473-1998 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订,分为7个部分:---gb/t17473.1-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定;---gb/t17473.2-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定;---gb/t17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;---gb/t17473.4-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试;---gb/t17473.5-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定;---gb/t17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定;---gb/t17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性?耐焊性测定?本部分为gb/t17473-2008的第7部分?本部分代替gb/t17473.7-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性?耐焊性试验》?本部分与gb/t17473.7-1998相比,主要有如下变动:---范围去除非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用内容;---将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性?耐焊性测定;---将原标准厚膜隧道烧结炉,温度范围为室温~1000℃?改为:厚膜隧道烧结炉,*高使用温度为1000℃,控制精度在±5℃;---将原标准控制焊料熔融温度为235℃±5℃改为:根据不同的焊料确定温度;---将原标准浸入和取出速度为(25±5)mm/s删除;---将原标准导体浸入焊料界面深度为2mm改为导体浸入焊料界面深度为2mm 以下;---将原标准浸入时间为5s±1s?浸入时间为10s±1s改为浸入时间根据不同浆料确定;---将原标准8.1.1中在放大镜下观察,若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于95%,则为可焊性好,小于95%为可焊性差。本部分由中国有色金属工业协会提出。本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。本部分主要起草人：李文琳、陈伏生、马晓峰、朱武勋、李晋。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：---ｇｂ／ｔ１７４７３．７-１９９８。
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